Следвайте ни в социалните мрежи:
TLL Media | Инженеринг ревю | SEE INDUSTRIAL Market | Български Технически Каталог| Енерджи ревю | Енерджи Инфо БГ | ТД ИНСТАЛАЦИИ | Екология & Инфраструктура
Electronics-Bulgaria.com Microdis Electronics Comet Electronics
 
Electronics-Bulgaria.com
IndustryInfo.BG
Electronics-Bulgaria.comЕЛЕКТРОНИКА Automation-Bulgaria.comАВТОМАТИЗАЦИЯ Measurement-Bulgaria.comИЗМЕРВАТЕЛНА ТЕХНИКА Electrical-Bulgaria.comЕЛЕКТРОАПАРАТУРА Lighting-Bulgaria.comОСВЕТЛЕНИЕ HVAC-Bulgaria.comОВК Water-Bulgaria.comВиК Machinebuilding-Bulgaria.comМАШИНОСТРОЕНЕ PowerIndustry-Bulgaria.comЕНЕРГЕТИКА Renewables-Bulgaria.comВЕИ Ecology-Bulgaria.comЕКОЛОГИЯ

ВИЖТЕ ОЩЕ ...

14.05.2019   |   Съединители за SIM карти от ATTEND
07.05.2019   |   3W DC/DC преобразуватели с двоен изход от AIMTEC
30.04.2019   |   Нова гама антистатични столове
WURTH LV1
 

Новини

Търси
TME

Microchip представи нови SiC компоненти за силовата електроника



07.05.2019

Microchip, чрез своето подразделение Microsemi, пусна на пазара нова фамилия базирани на силициев карбид (SiC) силови компоненти, които предлагат висока физическа устойчивост и подобрена ефективност с широка проводима зона. В съчетание с богатата гама от микроконтролери и аналогови решения на Microchip надеждните SiC компоненти отговарят на необходимостта да се подобри ефективността на системата и енергийната плътност в електрически превозни средства и други високомощни приложения в индустриалния, авиокосмическия или отбранителния сектор.

Новите поколения SiC силови дискретни компоненти (MOSFET) с напрежение 700 V и SiC бариерни диоди на Шотки (SBD) с напрежение 1200 V допълват портфолиото SiC силови продукти на Microchip. Новите над 35 дискретни компонента се поддържат от разннобразни развойни инструменти и референтни системи, като осигуряват изключителна устойчивост, доказана чрез множество тестове. Широката фамилия от SiC матрици, дискретни и силови модули се предлагат в различен диапазон от напрежения, токове и габарити.

SiC MOSFET и SBD решенията на Microchip предлагат по-ефективна комутация на по-високи честоти и преминават тестове за устойчивост над нивата, считани за критични за гарантиране на дългосрочна надеждност. SiC SBD компонентите показват приблизително 20% по-добър резултат от другите SiC диоди в тестовете за устойчивост за индуктивна комутация, които измерват колко добре приборите могат да издържат в условия на влошаване или преждевременна повреда при лавинен пробив, които възникват при пик на напрежението, надвишаващ напрежението при пробив. SiC MOSFET продуктите на Microchip също превъзхождат конкурентите си в тези тестове, демонстрирайки отлична защита на диелектричния слой и устойчивост на канала с минимална деградация по време на експлоатация дори след 100 000 циклични изпитания.


Източник: Microchip

Етикети:   Microchip   SiC   MOSFET   силициев карбид   силова електроника  
« назад
CometMicrochipDirect

АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com.  БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!


TLL Spec Mach
MPEl
 
CAD Point
IndustryInfo.BG НачалоЗа насРекламаУчастие в порталаАрхивКонтакти
 

ЕЛЕКТРОНИКА | Electronics-Bulgaria.com    АВТОМАТИЗАЦИЯ | Automation-Bulgaria.com    ИЗМЕРВАТЕЛНА ТЕХНИКА | Measurement-Bulgaria.com

ЕЛЕКТРОАПАРАТУРА | Electrical-Bulgaria.com    ОСВЕТЛЕНИЕ | Lighting-Bulgaria.com    ОВК | HVAC-Bulgaria.com
   
ВиК | Water-Bulgaria.com    МАШИНОСТРОЕНЕ | MachineBuilding-Bulgaria.com    ЕНЕРГЕТИКА | PowerIndustry-Bulgaria.com   

ВЕИ | Renewables-Bulgaria.com    ЕКОЛОГИЯ | Ecology-Bulgaria.com

Copyright © 2019        

Политика за поверителност и защита на личните данни  |  Условия за ползване  |  Политика за бисквитките

WebDesignBG