Следвайте ни в социалните мрежи:
TLL Media | Инженеринг ревю | SEE INDUSTRIAL Market | Български Технически Каталог| Енерджи ревю | Енерджи Инфо БГ | ТД ИНСТАЛАЦИИ | Екология & Инфраструктура
Electronics-Bulgaria.com Microdis Electronics Comet Electronics
 
Electronics-Bulgaria.com
Microchip Technology
IndustryInfo.BG
Electronics-Bulgaria.comЕЛЕКТРОНИКА Automation-Bulgaria.comАВТОМАТИЗАЦИЯ Electrical-Bulgaria.comЕЛЕКТРОАПАРАТУРА Lighting-Bulgaria.comОСВЕТЛЕНИЕ HVAC-Bulgaria.comОВК Water-Bulgaria.comВиК Machinebuilding-Bulgaria.comМАШИНОСТРОЕНЕ PowerIndustry-Bulgaria.comЕНЕРГЕТИКА
Mouse Electronics
Вюрт Електроник
 

Новини

Търси
ТМЕMicrochip Technology

Farnell започна да доставя новата Power GaN FET фамилия от Nexperia



15.09.2020

Farnell вече предлага на своите клиенти новата гама полеви транзистори (FET) от галиев нитрид (GaN) на Nexperia. GaN FET продуктите предлагат подобрена плътност и ефективно енергопотребление при намалени габарити, като правят възможна разработката на енергоефективни системи на по-ниска цена и осигуряват потенциал за трансформиране на енергийната ефективност в електрическите превозни средства, 5G комуникациите, IoT и други приложения.

GaN технологията преодолява някои от ограниченията на традиционни технологии като силициеви IGBT и SiC, осигурявайки директни или косвени ползи за цял набор от приложения за преобразуване на енергия. В електрическите превозни средства GaN технологията намалява пряко енергийните загуби, които могат да повлияят на обхвата на автомобила. По-ефективното преобразуване на електроенергията намалява и необходимостта от охлаждащи системи за разсейване на генерираната топлоенергия, като намалява масата на автомобила и сложността на системата, което от своя страна води до работа с по-дълъг обхват или същия обхват с по-малка батерия. Power GaN FET намират приложение също в центровете за данни, телекомуникационната инфраструктура и индустриалното производство.

GaN FET осигуряват максимална ефективност в решения като асиметрична комутация за AC-DC PFC приложения с транзисторни изходи, пълно мостово съединение при LLC фазово изместване (с резонансна или фиксирана честота) за приложения със симетрична комутация, всички DC-AC инверторни топологии и AC-AC матрични преобразуватели с помощта на двупосочни превключватели.

На 16 септември 2020 г. от 16:00 ч. Farnell и element14 ще проведат уебинар на тема "Разработка на високоефективни и устойчиви индустриални захранвания с GaN FET от Nexperia". Лектор ще бъде инж. Илиян Бонов, международен продуктов маркетинг на GaN продукти в Nexperia.

Повече информация и възможност за регистрация може да намерите тук.


Източник: Premier Farnell   Област: Електроника  

Етикети:   Premier Farnell   Avnet   Nexperia   GaN   Power GaN FET  
« назад
Comet Electronics

АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com.  БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!


Rutronik
Farnell
MPEl
 
CAD Point
IndustryInfo.BG НачалоЗа насРекламаУчастие в порталаКонтакти
 

ЕЛЕКТРОНИКА | Electronics-Bulgaria.com    АВТОМАТИЗАЦИЯ | Automation-Bulgaria.com 
   

ЕЛЕКТРОАПАРАТУРА | Electrical-Bulgaria.com    ОСВЕТЛЕНИЕ | Lighting-Bulgaria.com    ОВК | HVAC-Bulgaria.com
    
ВиК | Water-Bulgaria.com    МАШИНОСТРОЕНЕ | MachineBuilding-Bulgaria.com    ЕНЕРГЕТИКА | PowerIndustry-Bulgaria.com   

ЕКОЛОГИЯ | Ecology-Bulgaria.com

Copyright © 2020        

Политика за поверителност и защита на личните данни  |  Условия за ползване  |  Политика за бисквитките

WebDesignBG