ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА
02.03.2021 | Продажбите на електронни компоненти в Европа нарастват през януари 2021 г.
02.03.2021 | Изложението за силова електроника PCIM Europe 2021 ще се проведе в онлайн формат
25.02.2021 | Rutronik стана глобален партньор на Kemet
23.02.2021 | Стартира набирането на кандидатури за EPCIA Student Award 2021
22.02.2021 | Rutronik представя нови продукти и решения на embedded world digital 2021
Съществуващата от няколко десетилетия тенденция в силовата електроника за замяна на мощните механични комутационни и вакуумни прибори с полупроводникови продължава с непрекъснатото създаване на нови разновидности за все по-големи работни напрежения и максимални токове и по-малки загуби на енергия.
Резултатът е наличието на пазара на прибори за управление на товари с мощност над 1 MW, както и на модули с максимално постоянно напрежение, приближаващо 1000 kV. С най-голямо приложение засега са биполярните транзистори с изолиран гейт, известни със съкращението си IGBT, и тиристорите.
В статията се разглеждат особеностите и параметрите на тези два вида прибори, съвременните им дискретни разновидности и видовете модули с тях, като за всеки се дават областите на приложение.
IGBT прибори
Особености и параметри. Основни сведения за устройството, действието и параметрите на IGBT са дадени в статията “Мощни полупроводникови прибори в електроенергетиката”, публикувана в бр. 2/2012 г. на списание Енерджи ревю, където са споменати и най-важните им предимства и недостатъци.
Двете им символични означения са на фиг. 1а, като С, G и Е са съответно колекторът, гейтът и емитерът. За предпазване на приборите от подаване на отрицателни напрежения VCE на С спрямо Е често между двата електрода се свързва диод (фиг.1б) с наименование free-wheeling diode, който се отпушва при прилагането им.
При прилагане на VCE>0 и нулево напрежение гейт-емитер VGE транзисторът е запушен (Forward-Blocking Mode), от С към Е протича малкият ток (Collector Cut-Off Current) ICES и в този режим максимално допустимото му напрежение VCES се означава като Collector-Emitter Voltage.
За отпушването (Conduction Mode) e необходимо положително VGE над напрежението на отпушване (G-E Threshold Voltage) VGE(TH) и едновременно с това VCE да надхвърли праговото напрежение (Threshold Voltage) VTO, което типично е около 0,7 V...
Цялата статия може да прочетете тук.
Източник: Енерджи ревюКлючови думи: IGBT тиристори тиристорни модули инвертори токоизправители
Област: Статии
Mornsun Power представя DC/DC конвертор специално за IGBT драйвери за електродвигатели
Mornsun Power представя серията PV15-29BxxL DC/DC конвертори
Преобразуватели на променливо в постоянно напрежение за PCB монтаж
Rohm купува производствена мощност от Renesas
Тенденции в силовата електроника
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
Компоненти за ESD/EMI защита на електронни схеми
Микромодули на постояннотокови захранвания
Оптични комуникационни компоненти. Част II
Оптични комуникационни компоненти. Част I
Микроконтролери със свръхниска енергоконсумация
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
© Copyright 2010 - 2021 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.
Други портали от групата IndustryInfo.bg