ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА
06.04.2021 | Китайското международно изложение за оптоелектроника CIOE 2021 ще се проведе през септември
06.04.2021 | Rohde & Schwarz стартира регистрацията за Electronic Design and Test Days 2021
06.04.2021 | Farnell предлага AI развойни комплекти и USB ускорители от Google
30.03.2021 | Плановете за нови производствени мощности за интегрални схеми могат да навредят на електронната индустрия
Farnell вече предлага на своите клиенти новата гама полеви транзистори (FET) от галиев нитрид (GaN) на Nexperia. GaN FET продуктите предлагат подобрена плътност и ефективно енергопотребление при намалени габарити, като правят възможна разработката на енергоефективни системи на по-ниска цена и осигуряват потенциал за трансформиране на енергийната ефективност в електрическите превозни средства, 5G комуникациите, IoT и други приложения.
GaN технологията преодолява някои от ограниченията на традиционни технологии като силициеви IGBT и SiC, осигурявайки директни или косвени ползи за цял набор от приложения за преобразуване на енергия. В електрическите превозни средства GaN технологията намалява пряко енергийните загуби, които могат да повлияят на обхвата на автомобила. По-ефективното преобразуване на електроенергията намалява и необходимостта от охлаждащи системи за разсейване на генерираната топлоенергия, като намалява масата на автомобила и сложността на системата, което от своя страна води до работа с по-дълъг обхват или същия обхват с по-малка батерия. Power GaN FET намират приложение също в центровете за данни, телекомуникационната инфраструктура и индустриалното производство.
GaN FET осигуряват максимална ефективност в решения като асиметрична комутация за AC-DC PFC приложения с транзисторни изходи, пълно мостово съединение при LLC фазово изместване (с резонансна или фиксирана честота) за приложения със симетрична комутация, всички DC-AC инверторни топологии и AC-AC матрични преобразуватели с помощта на двупосочни превключватели.
На 16 септември 2020 г. от 16:00 ч. Farnell и element14 ще проведат уебинар на тема "Разработка на високоефективни и устойчиви индустриални захранвания с GaN FET от Nexperia". Лектор ще бъде инж. Илиян Бонов, международен продуктов маркетинг на GaN продукти в Nexperia.
Повече информация и възможност за регистрация може да намерите тук.
Ключови думи: Premier Farnell Avnet Nexperia GaN Power GaN FET
Област: Електроника
element14 предлага нови образователни ресурси за ученици, студенти и млади инженери
Farnell ще дистрибутира продуктите на KOA
Premier Farnell с нов президент
Avnet с ново европейско ръководство
Premier Farnell предлага безплатни CAD библиотеки съвместно с TraceParts
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
30.03.2021 | Rohde & Schwarz организира онлайн семинар за цифрови осцилоскопи
26.03.2021 | element14 стартира състезание по конструиране на дронове
19.03.2021 | Световното производство на електроника отново расте, сочи анализ на Semiconductor Intelligence
16.03.2021 | Rohde & Schwarz и IRL Dresden ще проучват заедно безжични технологии за индустриални приложения
11.03.2021 | БСК стартира проучване за нуждите на пазара на труда в сферата на микроелектрониката
30.03.2021 | Rohde & Schwarz организира онлайн семинар за цифрови осцилоскопи
26.03.2021 | element14 стартира състезание по конструиране на дронове
19.03.2021 | Световното производство на електроника отново расте, сочи анализ на Semiconductor Intelligence
16.03.2021 | Rohde & Schwarz и IRL Dresden ще проучват заедно безжични технологии за индустриални приложения
11.03.2021 | БСК стартира проучване за нуждите на пазара на труда в сферата на микроелектрониката
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
© Copyright 2010 - 2021 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.
Други портали от групата IndustryInfo.bg