Microchip разширява портфолиото от мощни RF компоненти, базирани на галиев нитрид

14.12.2021   |   Начало»Технологии

Редактор
Пепа Петрунова

Редактор
Пепа Петрунова

Microchip разширява значително своето портфолио от силови радиочестотни (RF) компоненти, базирани на галиев нитрид (GaN), с нови монолитни микровълнови интегрални схеми (MMIC) и дискретни транзистори, покриващи честоти до 20 GHz. Приборите съчетават висок коефициент на полезно действие (Power Added Efficiency - PAE) и отлични линейни характеристики, оптимизирайки значително приложения, вариращи от 5G до системи за радиоелектронна борба, сателитни комуникации, търговски и отбранителни радарни системи и тестово оборудване, посочват от компанията.

Както всички GaN RF силови продукти на Microchip, новите прибори са произведени по технологията "GaN върху SiC (силициев карбид)", която осигурява висока енергийна плътност и ефективност, както и работа при високо напрежение и дълготрайност от над 1 млн. часа при температура на прехода 255°C.

Те включват GaN MMIC, покриващи от 2 до 18 GHz, от 12 до 20 GHz и от 12 до 20 GHz с RF изходна мощност в идеален линеен режим (P3dB) до 20 W и ефективност до 25%, както и некорпусирани (bare die) и корпусирани GaN MMIC усилватели за S- и X-ленти с до 60% PAE, и HEMT транзистори, покриващи до 14 GHz с P3dB RF изходна мощност до 100 W и максимална ефективност 70%.

"Microchip продължава да инвестира във фамилията GaN RF продукти, за да поддържа всички възможни приложения на всички възможни честоти - от микровълновия диапазон до милиметрови дължини на вълната, а нашето продуктово портфолио включва над 50 изделия с диапазон, обхващащ от ниските мощности до 2,2 kW. Обявените днес продукти обхващат в съвкупност честоти от 2 до 20 GHz и са проектирани да посрещнат предизвикателствата по отношение на линейност и ефективност, които поставят технологиите за честотна модулация от висок порядък, използвани в 5G и други безжични мрежи, както и уникалните нужди на сателитните комуникации и отбранителните приложения", разясни Леон Грос, вицепрезидент "Дискретни компоненти" в Microchip.

Портфолиото от RF полупроводникови продукти на Microchip, освен GaN базирани прибори, се простира от базирани на галиев арсенид (GaAs) RF усилватели и модули до нискошумящи усилватели, RF аналогови входни модули (RFFE), варактори, Шотки и PIN диоди, радиочестотни ключове и атенюатори с променливо напрежение.

В допълнение компанията предлага и високоефективни сензори с повърхностни акустични вълни (SAW) и осцилатори за микроелектромеханични системи (MEMS), както и модули с висока степен на интеграция, които съчетават микроконтролери с радиочестотни приемо-предаватели и поддържат базовите безжични технологии с малък обхват - от Bluetooth и Wi-Fi до LoRa.

Ключови думи: Microchip   радиочестотни   GaN   галиев нитрид   SiC   силициев карбид   MMIC   MEMS  

Област: Електроника