Microchip представи нови SiC силови компоненти с напрежение 3,3 kV

29.03.2022   |   Начало»Технологии

Редактор
Пепа Петрунова

Редактор
Пепа Петрунова

Microchip разшири своето портфолио от силови дискретни компоненти с нови MOSFET и Шотки бариерни диоди (SBD), базирани на силициев карбид (SiC). Новите SiC решения предлагат за първи път на пазара работно напрежение от 3,3 kV, допълвайки наличните SiC матрици, дискретни прибори, модули и драйвери на компанията за напрежения 700, 1200 и 1700 V.

SiC силовите прибори на Microchip с напрежение 3,3 kV включват MOSFET с най-ниските стойности на съпротивление дрейн-сорс RDS(on) от 25 mOhm, както и Шотки бариерни диоди с най-високия работен ток от 90 А. MOSFET и SBD решенията се предлагат като матрици или корпусирани компоненти.

"Нашата нова фамилия 3,3 kV SiC силови прибори позволява на клиентите да преминат към високоволтови SiC решения лесно, бързо и уверено, възползвайки се от множеството предимства, които тази технология предлага спрямо компонентите, базирани на силиций", обясни Леон Грос, вицепрезидент "Дискретни компоненти" в Microchip.

През последните три години Microchip пусна стотици SiC компоненти и производствени решения с разнообразни параметри по отношение на напрежение, ток и корпусиране. Всички SiC MOSFET и SBD продукти на Microchip осигуряват повишена устойчивост и надеждност и се предлагат съгласно политиката на компанията за дългосрочна поддръжка, гарантираща на клиентите, че производството на компонентите ще продължи възможно най-дълго, посочват от Microchip.

Клиентите могат да съчетават SiC решенията с други продукти на Microchip, включително 8-, 16- и 32-битови микроконтролери, компоненти за управление на захранването, аналогови сензори, капацитивни сензори, решения за безжична свързаност и др.

Ключови думи: Microchip   SiC   MOSFET   Шотки диоди   силициев карбид   силова електроника  

Област: Електроника