STMicroelectronics ще строи съоръжение за производство на SiC пластини в Италия

11.10.2022   |   Начало»Проекти

Редактор
Пепа Петрунова

Редактор
Пепа Петрунова

STMicroelectronics обяви намерението си да построи съоръжение за производство на субстрат от силициев карбид (SiC) в Италия с цел да посрещне растящото търсене на SiC компоненти за автомобилната индустрия и промишлеността от страна на своите клиенти, които са поели пътя на електрификацията и търсят по-висока ефективност.

Производството на SiC субстрат се очаква да стартира през 2023 г. Според компанията новото съоръжение ще й помогне не само да увеличи приходите, но и да постигне целта 40% от използвания субстрат да е собствено производство до 2024 г. 

Съоръжението за производство на SiC субстрат ще бъде построено в непосредствена близост до съществуващите производствени съоръжения за компоненти на базата на SiC на STMicroelectronics в Катания на о. Сицилия. Това ще бъде първото съоръжение от този тип в Европа, което ще произвежда 150 mm SiC епитаксиални субстрати, включвайки всички стъпки в производството. В бъдеще STMicroelectronics планира да развие и производството на 200 mm пластини.

Ключови думи: STMicroelectronics   SiC   пластини   субстрат   силициев карбид   електронни компоненти  

Област: Електроника