ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА
26.09.2023 | productronica 2023 с акцент върху новостите в силовата електроника
26.09.2023 | Микроелектронната индустрия отчита ръст на приходите за първи път от 2021 г. насам
25.09.2023 | Шведска компания достави първите квантови електронни компоненти
18.09.2023 | u-blox представя първия си многорежимен клетъчен и сателитен IoT модул с интегрирано позициониране
15.09.2023 | element 14 и Microchip стартират състезание за творческо рециклиране на стара електроника
STMicroelectronics обяви намерението си да построи съоръжение за производство на субстрат от силициев карбид (SiC) в Италия с цел да посрещне растящото търсене на SiC компоненти за автомобилната индустрия и промишлеността от страна на своите клиенти, които са поели пътя на електрификацията и търсят по-висока ефективност.
Производството на SiC субстрат се очаква да стартира през 2023 г. Според компанията новото съоръжение ще й помогне не само да увеличи приходите, но и да постигне целта 40% от използвания субстрат да е собствено производство до 2024 г.
Съоръжението за производство на SiC субстрат ще бъде построено в непосредствена близост до съществуващите производствени съоръжения за компоненти на базата на SiC на STMicroelectronics в Катания на о. Сицилия. Това ще бъде първото съоръжение от този тип в Европа, което ще произвежда 150 mm SiC епитаксиални субстрати, включвайки всички стъпки в производството. В бъдеще STMicroelectronics планира да развие и производството на 200 mm пластини.
Източник: STMicroelectronicsКлючови думи: STMicroelectronics SiC пластини субстрат силициев карбид електронни компоненти
Област: Електроника
Уебинар анализира предизвикателствата на интелигентното производство в микроелектрониката
TSMC, Robert Bosch, Infineon и NXP инвестират над 10 млрд. евро в съвместно микроелектронно производство в Германия
Битката за SiC продължава да променя пазара на полупроводникови компоненти
Какви са възможните ефекти от решението на Китай да огранични износа на галий
В Швеция създават национален хъб за проектиране на полупроводникови компоненти
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
22.08.2023 | TSMC, Robert Bosch, Infineon и NXP инвестират над 10 млрд. евро в съвместно микроелектронно производство в Германия
27.07.2023 | Започна строителството на първото в Европа съоръжение за производство на редкоземни магнити
19.07.2023 | Broadcom инвестира 1 млрд. щатски долара в развитието на европейската електронна индустрия
23.06.2023 | В Швеция създават национален хъб за проектиране на полупроводникови компоненти
19.06.2023 | ЕК отпуска 8,1 млрд. евро за нов проект от общоевропейско значение в сферата на микроелектрониката
22.08.2023 | TSMC, Robert Bosch, Infineon и NXP инвестират над 10 млрд. евро в съвместно микроелектронно производство в Германия
27.07.2023 | Започна строителството на първото в Европа съоръжение за производство на редкоземни магнити
19.07.2023 | Broadcom инвестира 1 млрд. щатски долара в развитието на европейската електронна индустрия
23.06.2023 | В Швеция създават национален хъб за проектиране на полупроводникови компоненти
19.06.2023 | ЕК отпуска 8,1 млрд. евро за нов проект от общоевропейско значение в сферата на микроелектрониката
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2023 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.