Microchip обяви нов онлайн симулатор за SiC импулсни захранвания

31.03.2023   |   Начало»ФИРМЕНИ ПУБЛИКАЦИИ

Редактор
Мира Станкова

Редактор
Мира Станкова

Microchip представи новия софтуер за разработка на SiC импулсни захранвания MPLAB SiC Power Simulator. С негова помощ бързо могат да бъдат тествани SiC захранвания и модули на Microchip в различни топологии, преди да започне проектирането на хардуер.

MPLAB SiC Power Simulator, разработен в сътрудничество с Plexim на базата на софтуерния инструмент за симулации на електрически схеми PLECS, се предлага безплатно, премахвайки необходимостта от закупуване на лиценз. Симулаторът ускорява значително проектирането на различни топологии на импулсни захранвания. С негова помощ клиентите могат да извършват сравнителни анализи и да тестват SiC решенията в етапа на проектиране.

Ускоряване на времето за пускане на пазара чрез цялостна симулация

"Клиентите, които закупуват SiC компоненти, вече могат да използват уеббазирания MPLAB SiC Power Simulator, за да сравнят и изберат най-добрия SiC продукт на Microchip за своя проект. Над две десетилетия Microchip инвестира в базираните на силициев карбид технологии и предоставя на клиентите си многофункционални решения за захранване в своето SiC портфолио, които лесно могат да бъдат включени в проекти заедно с други компоненти на Microchip", обясни Клейтън Пилион, вицепрезидент на подразделението за SiC продукти в Microchip.

Новият софтуер може да ускори времето за пускане на пазара чрез цялостна симулация, която не само осигурява данни за сравнителен анализ, но и намалява времето за избор на компоненти. Разработчикът на силова електроника, който избира между 25 mΩ и 40 mΩ SiC MOSFET за трифазен активен преобразувател, може да получи незабавни резултати от симулацията, като например стойностите за средна разсейвана мощност и максимална температура на прехода.

Разработка на захранващи системи за различни приложения и производства

MPLAB SiC Power Simulator е ориентиран към разработката на захранващи системи за различни приложения и производства, включително електромобили, външни и вътрешни зарядни устройства, електрозахранвания и системи за съхранение на енергия, използващи батерии.

Портфолиото от SiC компоненти на Microchip включва водещи в сектора захранващи модули, отличаващи се с най-ниска паразитна индуктивност (<2,9 nH), както и водещи 3,3 kV дискретни MOSFET и диоди с най-високи стойности на максимален работен ток. SiC портфолиото се допълва от 700/1200/1700 V матрици, дискретни компоненти и модули, както и конфигурируемите цифрови гейт драйвери AgileSwitch.

Тези SiC решения предлагат висока стабилност и производителност, които осигуряват над 100 години живот на гейтовия оксид и диоди без деградация. Технологията SiC осигурява по-висока системна ефективност, плътност на мощността и температурна стабилност в сравнение със силициевите биполярни транзистори с изолиран гейт (IGBT) в приложения с висока мощност.

MPLAB SiC Power Simulator на Microchip е достъпен безплатно тук.

Ключови думи: Microchip   импулсни захранвания   SiC   MPLAB SiC Power Simulator  

Област: Електроника