Русия инвестира 2,5 млрд. щатски долара в собствена технология за производство на чипове

05.11.2024   |   Начало»Проекти

Редактор
Мира Станкова

Редактор
Мира Станкова

Русия планира инвестиции от близо 2,5 млрд. щатски долара в реализацията на програма за подмяна на сега използваното чуждестранно оборудване за производство на чипове в страната до 2030 г., съобщи CNews.

Инициативата включва разгръщането на 110 научноизследователски и развойни проекта, за да се намали зависимостта от вносното оборудване за изработка на пластини и чипове по 28 nm технология. Проектите ще се фокусират върху четири основни направления – техническо оборудване, материали, химикали, системи за автоматизирано проектиране.

Руското правителство работи и по изготвянето на отделна програма за локализация на производството на критично важни компоненти за техническо оборудване.

В настоящия момент в Русия се използват не по-малко от 400 модела оборудване за производство на микроелектроника и само около 12% от тях може да се произведат на територията на Русия. При това заради санкциите оборудването за монтаж на компоненти на печатни платки, асемблиране на крайни устройства, тестове и контрол на качеството е поскъпнало с 40 – 50%.

В рамките на програмата за развитие на машини за електронно производство се планира да се създаде руско оборудване за производство на микроелектроника (от 180 до 28-нанометрови технологии), свръхвисокочестотна електроника, фотоника, силова електроника, фотомаски и асемблиране на електронни компоненти и модули, пасивна електроника и други.

До края на 2026 г. се планира да се добиват монокристали с помощта на руско оборудване, да се режат, шлифоват и полират, измиват и сушат, нанасят елементи и контролират изходните продукти (рентгенов дифрактометър, контрол на дефекти). Освен това трябва да се създадат литографии с UV диапазон за производство на процесори по 350 nm и 130 nm технология, както и инсталация за електронно-лъчева литография за 150 nm. До 2030 г. се планира да се създаде производство на скенери за чипове с топология от клас 90 – 65 nm.

До 2026 г. също така се планира да бъде осигурено оборудване за епитаксия – процес, при който на една пластина се нанасят няколко слоя полупроводникови материали.

Планира се създаването на общо 15 типа контролно-измервателно оборудване, 13 типа плазмохимически инсталации, 10 инсталации за литографии, 9 за корпусиране, по 8 за производство на фотомаски и епитаксия, 7 за производство на пластини и други.

Ключови думи: микроелектронно производство   чипове  

Област: Електроника