Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки

02.06.2026   |   Начало»Новини

Редактор
Мира Станкова

Редактор
Мира Станкова

Научноизследователски екип под ръководството на д-р Конг Вей от Университета "Уестлейк" в Хангджоу, Китай, обяви, че е реализирал неразрушаваща интеграция на ниво цяла пластина на монокристални филми от молибденов дисулфид (MoS₂) върху гъвкави подложки, отбелязвайки напредък в технологиите за трансфер и интеграция от конвенционалните "мокри" процеси към "сух" подход. Резултатите, публикувани в списание Nature Electronics, предлагат път за преодоляване на дългогодишни ограничения при високопроизводителната гъвкава електроника.

MoS₂ се състои от един слой молибденови атоми, разположен между два слоя серни атоми, с дебелина от едва около 0,6 nm – практически на атомно ниво. Тази свръхтънкост придава на материала изключителна механична гъвкавост, позволявайки му да издържа на многократно огъване без влошаване на производителността, твърдят изследователите и допълват, че освен механичните си предимства, MoS₂ притежава и впечатляващи електронни свойства. Като собствен полупроводник, той може да регулира потока на ток – да го включва и изключва – подобно на силиция, което позволява използването му като основен градивен елемент за логически устройства, стоящи в основата на съвременните интегрални схеми.

Тъй като полупроводниковото производство се приближава до физическите граници на закона на Мур, по-нататъшното миниатюризиране на силициевите транзистори все повече се ограничава от токове на утечка. MoS₂ предлага потенциално решение - свръхтънката му структура осигурява по-добър електростатичен контрол от управляващия електрод, което го прави силен кандидат за продължаване на мащабирането отвъд технологичната бариера от 2 nm.

Предизвикателствата и решенията

Въпреки тези предимства интегрирането на монокристални 2D материали в гъвкави системи без компромис със свойствата им остава сериозно предизвикателство. Постигането на чисти, висококачествени и мащабируеми процеси на трансфер се оказва особено трудно.

Традиционно такива материали се отглеждат епитаксиално върху сапфирени подложки чрез химично отлагане от парна фаза и след това се прехвърлят върху гъвкави подложки чрез "мокри" методи за трансфер. Тези подходи обикновено включват полимери, вода или органични разтворители, които могат да оставят утайки, влошаващи характеристиките на материала.

За да реши този проблем, екипът на д-р Конг разработва сух процес за трансфер, базиран на оксиди. Методът започва с нанасяне на свръхтънък слой алуминиев оксид (Al₂O₃) чрез електроннолъчево изпаряване за подобряване на междуфазното сцепление с MoS₂. След това се добавя допълнителен слой Al₂O₃ чрез атомно-слойно отлагане, формиращ висококачествен гейтов диелектрик с висока диелектрична константа. Ключовото е, че целият процес избягва директен контакт между MoS₂ и полимери, вода или разтворители, като по този начин запазва присъщите свойства на материала.

На базата на този подход учените създават високоплътни гъвкави транзисторни масиви в мащаб на цяла пластина, които демонстрират няколко ключови показателя - свръхвисоко съотношение между включен и изключен ток от 10¹², подвижност на носителите до 117 cm²/V•s – сред най-високите стойности, регистрирани за гъвкави материали и субпрагов наклон на транзистора от едва 68,8 mV/dec, доближаващ теоретичната граница от 60 mV/dec.

Екипът допълнително интегрира транзисторните масиви в тактилна система с активна матрица, монтирана върху повърхността на мек хващач за роботи. Системата е способна на картографиране на налягането в реално време, което позволява на робота да определя формата, позицията и размера на обекти с по-висока прецизност.

Ключови думи: транзистори  

Област: Електроника