
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


30.09.2026 | APEM представи нова фамилия кобилични превключватели за взискателни приложения
29.09.2026 | Уебинар предлага решения за подобряване на енергийната ефективност и точността на GNSS позиционирането
29.09.2026 | Quectel пусна нов високопроизводителен модул с edge AI
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
28.09.2026 | EnSilica открива център за върхови постижения в Милано

Hakko представи нов модел компактен поялник FM-2032 за микрозапояване, предназначен за поялни станции FX-951, FM-203 и FM-206, съобщиха от фирма КАСИ, представител на Hakko у нас. Микропоялникът, снабден с фин накрайник и тънък композитен нагревател, е оптимизиран за прецизно запояване на компоненти в наситени печатни платки, както и за запояване под лупа или микроскоп.
FM-2032 е ESD-обезопасен и остава хладен дори при най-високи работни температури. Температурният диапазон на запояване е 200-450 °С, а консумацията - 48 W. Моделът тип писалка е с дължина 170 мм и разполага с огнеустойчив кабел с дължина 1,3 м.
Микропоялникът се предлага с 6 допълнителни бързосменящи се композитни накрайника от серия T30 с геометрии, проектирани за оптимално топлопренасяне и достигане на най-трудно достъпните места при запояване на компоненти върху печатни платки. В комплекта са включени още поставка за микропоялника и термоустойчива подложка.
Ключови думи: КАСИ Hakko поялници микрозапояване микропоялници печатни платки поялни станции
Област: Технологии
Amtest Group открива лаборатория в Ботевград
Партньорите на КАСИ с участие на productronica 2017
КАСИ с нов офис
Каси с нов дизайн на интернет страницата си
Balver Zinn с мобилна версия на сайта си
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
02.06.2026 | Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини

10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
02.06.2026 | Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.