Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини

31.03.2026   |   Начало»Технологии

Редактор
Мира Станкова

Редактор
Мира Станкова

През март 2026 г.китайската технологична компания Tiancheng Semiconductor обяви, че успешно е реализирала 14-инчов монокристал от силициев карбид (SiC), използвайки оборудване собствена разработка, с ефективна дебелина от 30 mm. Пробивът отбелязва прехода на Китай към SiC материали с големи размери – от фазата на навлизане на 12-инчовите към първата стъпка към комерсиализацията на 14-инчови кристали.

Наскоро голям брой компании по света насочиха усилия към разработването на 12- и 14-инчови SiC монокристали и субстрати, което увеличи конкуренцията в сегмента. Зад това глобално състезание за създаване на пластини с по-големи размери се крие голямата цел на сектора да се намалят разходите, да се повиши ефективността и да се завладеят по-рентабилни пазари в сферата на широколентовите полупроводникови технологии.

В сравнение с актуалните масови 6- и 8-инчови SiC субстрати, 12-инчовите и по-големите пластини значително увеличават ефективната площ за чипове при същите производствени условия. Това не само намалява производствените разходи за един чип, но и е в полза приложения от висок клас, като захранващи устройства и компоненти за полупроводниково оборудване. По-големите пластини следователно се очаква да играят ключова роля в технологичните надграждания в сектори като електромобили, съхранение на енергия от фотоволтаици и центрове за данни с изкуствен интелект.

По данни на сектора 12-инчовите SiC субстрати могат да осигурят над три пъти повече броя чипове в сравнение с 6-инчовите пластини, като същевременно намаляват общите разходи с 40%. Въвеждането на 14-инчовите пластини би могло допълнително да увеличи тези преимущества, тласкайки SiC към нова фаза на широкомащабно навлизане в индустрията.

Глобалната конкуренция в големите SiC пластини се засилва

В сегмента на 12-инчовите пластини редом напредват водещи китайски компании и нови играчи, като създават диверсифицирано конкурентно предлагане:

• San’an Optoelectronics – достави за верифициране на клиенти 12-инчови SiC субстрати;
• SemiSiC – създателят на първия в света 12-инчов полуизолиращ SiC монокристален субстрат с висока чистота в момента напредва по проект, целящ годишно производство от 1 млн. SiC субстрата;
• Roshow – през февруари 2026 г. обяви, че е произвела първата си мостра на 12-инчов SiC монокристален субстрат;
• HiMahines – успешно реализира 12-инчов SiC монокристален слитък;
• JSG (Jingsheng) – постигна пробив в израстването на 12-инчов проводим SiC монокристал през май 2025 г. През септември същата година стартира 12-инчовата й пилотна линия със 100% основно оборудване местно производство, а през януари 2026 г. достигна ключово техническо постижение от TTV ≤ 1 микрометра.

В световен мащаб състезанието за по-големи размери на пластините на основата на SiC става все по-ожесточено с участието и на международни играчи:

• Wolfspeed – през януари 2026 г. обяви производството на 300 mm (12") SiC монокристална пластина, проектирана както за производството на захранващи устройства, така и за развитието на полуизолиращ субстрат с висока чистота;
• SK Siltron – производственото й съоръжение за SiC пластини в Бей Сити, щата Мичигън, САЩ, е пуснато в експлоатация с очакван годишен капацитет от 60 000 пластини, основно с фокус върху 8-инчово масово производство, а развитието на 12-инчови пластини продължава;
• Infineon – стартира производствено съоръжение за SiC пластини в Малайзия, което може да стане най-голямото в света за производство на 200 mm (8"") SiC силови полупроводникови пластини;
• STMicroelectronics – разширява производството на 8-ин'чови SiC пластини чрез съвместно дружество със San’an.

Ключови думи: TrendForce   SiC   пластини  

Област: Електроника