
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


14.04.2026 | Капиталовите разходи в полупроводниковия сектор ще нараснат до 200 млрд. долара през 2026 г.
14.04.2026 | u-blox представи трилентов Wi-Fi 6E модул за индустриални IoT приложения
07.04.2026 | Комет Електроникс подкрепи нова инициатива за развитие на млади таланти в инженерната област
07.04.2026 | Китай планира да задоволява 80% от нуждите си от електронни компоненти със собствено производство до 2030 г.



Изследователи от Университета на Единбург обявиха, че в сътрудничество с колеги от изследователски центрове и университети във Франция и Германия са създали нов тип високоефективен полупроводников материал.
Досега материал, получен при комбинирането на химическите елементи германий и калай, се смяташе за почти невъзможен за производство, въпреки че предишни изследвания предполагат, че теоретично сплавта от германий и калай може да действа като ефективен полупроводников елемент за поглъщане и излъчване на светлина по-ефективно от силициевите полупроводникови елементи, улеснявайки преобразуването на светлината в електрическа енергия и обратното.
Трудностите в производството на материала се дължат частично на това, че елементите не реагират химически един с друг при нормални условия. Екипът, воден от изследователите от Университета на Единбург, твърди, че е успял не само да създаде този нов материал, но и изцяло нов клас от полупроводникови елементи, изработени от него.
Подходът включва нагряване на смеси от германий и калай до над 1200°C и подлагането им на налягане от до 10 гигапаскала – около 100 пъти по-голямо от налягането на дъното на Марианската падина, най-дълбоката точка в океаните. Според екипа процесът произвежда стабилни германиево-калаени сплави при стайна температура и налягане, които могат да функционират като ефективни полупроводникови елементи.
Изследването, публикувано в Журнала на Американското химическо общество, е финансирано от Европейската комисия.
Източник: The University of Edinburgh; Снимка: DreamstimeКлючови думи: интегрални схеми полупроводникови технологии
Област: Електроника
Русенският университет бе домакин на седмото национално младежко състезание Електрониада 2026
Изкуственият интелект ще осигури рекордни приходи на полупроводниковата индустрия през 2026 г.
В ТУ – София се проведе първата среща по проект C3BG
ЕК позволи на Чехия да финансира производствено съоръжение за микроелектроника на onsemi
SEMI прогнозира стабилно увеличение на инвестициите в оборудване за производство на 300-милиметрови пластини до 2028 г.
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини
31.03.2026 | Европейски университетски консорциум ще разработва чипове от ново поколение
27.01.2026 | Компостируеми печатни платки могат да намалят екологичното въздействие на електрониката
20.01.2026 | Нови материали могат да повишат енергийната ефективност в микроелектрониката
06.01.2026 | Нов високоефективен материал преобразува механично усилие в електроенергия по безоловна технология

31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини
31.03.2026 | Европейски университетски консорциум ще разработва чипове от ново поколение
27.01.2026 | Компостируеми печатни платки могат да намалят екологичното въздействие на електрониката
20.01.2026 | Нови материали могат да повишат енергийната ефективност в микроелектрониката
06.01.2026 | Нов високоефективен материал преобразува механично усилие в електроенергия по безоловна технология
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.