
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА




На 8 септември 2026 г. ASML и TSMC обявиха, че ще работят заедно за създаването на голямоформатни фотомаски за литография в далечния ултравиолетов (EUV) диапазон.
Макар че High NA EUV технологията ще бъде внедрена в производството с използването на настоящите 6-инчови маски, преходът към по-големи, 12-инчови маски се очаква допълнително да увеличи производителността, да намали разходите за производство на чипове и да премахне ограниченията при свързване (stitching), което ще донесе ползи за цялата миклоелектронна индустрия. Това ще позволи на производителите на чипове да се възползват напълно от предимствата на High NA EUV технологията, която ще направи бъдещите поколения интегрални схеми по-рентабилни.
"Очакваме внедряването на High NA EUV технологията прогресивно да нараства в съответствие с пътната карта за мащабиране на компонентите – първоначално чрез използване на настоящите 6-инчови маски, а впоследствие и с помощта на 12-инчови маски, които осигуряват по-висока производителност на скенерите и позволяват на индустрията да отговори на търсенето на по-малки, по-бързи и по-енергийноефективни чипове", коментира Кристоф Фуке, президент и главен изпълнителен директор на ASML. Той изрази задоволството си от голямата подкрепа, изразена от производители на електронни компоненти, доставчици на маски и партньори за инициативата.
"Винаги сме вярвали, че, когато секторът работи заедно, за да реши сложни проблеми, отключваме възможности, каквито една компания сама не може", коментира главният изпълнителен директор на TSMC д-р Че-Чия Уей.
TSMC планира да започне да използва High NA технологията на ASML за масово производство на усъвършенствани възли от 2030 г. Тъй като технологията се развива, TSMC очаква броят на слоевете, изискващи High NA EUV, да се увеличава, стимулиран главно от все по-сложните архитектури на транзисторите, необходими за приложенията с изкуствен интелект.
Източник: ASML; Снимка: DreamstimeКлючови думи: ASML TSMC маски High NA EUV
Област: Електроника
Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Техническият университет в Мюнхен създава център за проектиране на AI чипове
TSMC планира център за проектиране на електронни компоненти в Мюнхен
TSMC увеличава инвестициите в САЩ на 165 млрд. щатски долара
Кристиян Коич ще ръководи операциите на TSMC в Европа
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
12.10.2026 | Марк Уинфилд е новият президент на TTI IP&E – Europe
30.09.2026 | APEM представи нова фамилия кобилични превключватели за взискателни приложения
29.09.2026 | Уебинар предлага решения за подобряване на енергийната ефективност и точността на GNSS позиционирането
29.09.2026 | Quectel пусна нов високопроизводителен модул с edge AI
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори

12.10.2026 | Марк Уинфилд е новият президент на TTI IP&E – Europe
30.09.2026 | APEM представи нова фамилия кобилични превключватели за взискателни приложения
29.09.2026 | Уебинар предлага решения за подобряване на енергийната ефективност и точността на GNSS позиционирането
29.09.2026 | Quectel пусна нов високопроизводителен модул с edge AI
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.