
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


30.09.2026 | APEM представи нова фамилия кобилични превключватели за взискателни приложения
29.09.2026 | Уебинар предлага решения за подобряване на енергийната ефективност и точността на GNSS позиционирането
29.09.2026 | Quectel пусна нов високопроизводителен модул с edge AI
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
28.09.2026 | EnSilica открива център за върхови постижения в Милано


Фирма Ромтех-3ЕС представи иновативен енергоспестяващ светодиоден аналог на луминесцентна тръба с търговско название Т8/Т5 LED. Модулът е разработен за вграждане в стандартни тела за окачен таван.
"При еднакви размери с луминесцентни тръби Т8/Т5 LED произвежда същото количество светлина с до 55% икономия на електроенергия. Дългият живот на модула (до 70 000 часа) елиминира разходите за подмяна на луминесцентни тръби. Съвместявайки уникална конструкция, вградена огледална оптика, високоефективен разсейвател и светодиоди от последно поколение, модулът притежава ефективност до 100 lm/W и е напълно съвместим с всички 24 V (36 V като опция) LED захранвания", заявиха от компанията.
Т8/Т5 LED получи отличие за иновация на Международния технически панаир в Пловдив.
Източник: Ромтех-3ЕСКлючови думи: Ромтех-3ЕС LED луминесцентна тръба Т8/Т5
Област: Технологии
Премиера за SPoE референтен дизайн и други иновации от Wuerth Elektronik на embedded world 2025
Доставките на Mini LED продукти ще започнат да се възстановяват в световен мащаб през 2024 г.
Farnell разширява партньорството с ams Osram
Пазарът на Micro LED чипове е готов да расте със зашеметяваща скорост
Пълната гама UV-C светодиоди OSLON на ams OSRAM вече се предлага от Farnell
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
02.06.2026 | Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини

10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
02.06.2026 | Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.