Microchip представи нови SiC компоненти за силовата електроника

Microchip, чрез своето подразделение Microsemi, пусна на пазара нова фамилия базирани на силициев карбид (SiC) силови компоненти, които предлагат висока физическа устойчивост и подобрена ефективност с широка проводима зона. В съчетание с богатата гама от микроконтролери и аналогови решения на Microchip надеждните SiC компоненти отговарят на необходимостта да се подобри ефективността на системата и енергийната плътност в електрически превозни средства и други високомощни приложения в индустриалния, авиокосмическия или отбранителния сектор.

Новите поколения SiC силови дискретни компоненти (MOSFET) с напрежение 700 V и SiC бариерни диоди на Шотки (SBD) с напрежение 1200 V допълват портфолиото SiC силови продукти на Microchip. Новите над 35 дискретни компонента се поддържат от разннобразни развойни инструменти и референтни системи, като осигуряват изключителна устойчивост, доказана чрез множество тестове. Широката фамилия от SiC матрици, дискретни и силови модули се предлагат в различен диапазон от напрежения, токове и габарити.

SiC MOSFET и SBD решенията на Microchip предлагат по-ефективна комутация на по-високи честоти и преминават тестове за устойчивост над нивата, считани за критични за гарантиране на дългосрочна надеждност. SiC SBD компонентите показват приблизително 20% по-добър резултат от другите SiC диоди в тестовете за устойчивост за индуктивна комутация, които измерват колко добре приборите могат да издържат в условия на влошаване или преждевременна повреда при лавинен пробив, които възникват при пик на напрежението, надвишаващ напрежението при пробив. SiC MOSFET продуктите на Microchip също превъзхождат конкурентите си в тези тестове, демонстрирайки отлична защита на диелектричния слой и устойчивост на канала с минимална деградация по време на експлоатация дори след 100 000 циклични изпитания.

Ключови думи: Microchip   SiC   MOSFET   силициев карбид   силова електроника