
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


30.09.2026 | APEM представи нова фамилия кобилични превключватели за взискателни приложения
29.09.2026 | Уебинар предлага решения за подобряване на енергийната ефективност и точността на GNSS позиционирането
29.09.2026 | Quectel пусна нов високопроизводителен модул с edge AI
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
28.09.2026 | EnSilica открива център за върхови постижения в Милано


Microchip, чрез своето подразделение Microsemi, пусна на пазара нова фамилия базирани на силициев карбид (SiC) силови компоненти, които предлагат висока физическа устойчивост и подобрена ефективност с широка проводима зона. В съчетание с богатата гама от микроконтролери и аналогови решения на Microchip надеждните SiC компоненти отговарят на необходимостта да се подобри ефективността на системата и енергийната плътност в електрически превозни средства и други високомощни приложения в индустриалния, авиокосмическия или отбранителния сектор.
Новите поколения SiC силови дискретни компоненти (MOSFET) с напрежение 700 V и SiC бариерни диоди на Шотки (SBD) с напрежение 1200 V допълват портфолиото SiC силови продукти на Microchip. Новите над 35 дискретни компонента се поддържат от разннобразни развойни инструменти и референтни системи, като осигуряват изключителна устойчивост, доказана чрез множество тестове. Широката фамилия от SiC матрици, дискретни и силови модули се предлагат в различен диапазон от напрежения, токове и габарити.
SiC MOSFET и SBD решенията на Microchip предлагат по-ефективна комутация на по-високи честоти и преминават тестове за устойчивост над нивата, считани за критични за гарантиране на дългосрочна надеждност. SiC SBD компонентите показват приблизително 20% по-добър резултат от другите SiC диоди в тестовете за устойчивост за индуктивна комутация, които измерват колко добре приборите могат да издържат в условия на влошаване или преждевременна повреда при лавинен пробив, които възникват при пик на напрежението, надвишаващ напрежението при пробив. SiC MOSFET продуктите на Microchip също превъзхождат конкурентите си в тези тестове, демонстрирайки отлична защита на диелектричния слой и устойчивост на канала с минимална деградация по време на експлоатация дори след 100 000 циклични изпитания.
Ключови думи: Microchip SiC MOSFET силициев карбид силова електроника
Microchip представи сертифицирани за безопасност контролери за сензорни екрани
Microchip представи две нови микроконтролерни фамилии за обработка на аналогови и цифрови сигнали
Microchip представи нови силови модули със SiC Шотки диоди за автомобилостроенето
Microchip представи нови решения за управление на електродвигатели
Microchip представи Wi-Fi модул с развити Trust&GO функции за сигурност
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
02.06.2026 | Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини

10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
02.06.2026 | Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.