
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
10.07.2026 | Германия отпуска 76 млн. евро за производство на уникално тестово оборудване за микроелектрониката
09.07.2026 | TTI Europe вече предлага продуктите на Luetze на европейския пазар
08.07.2026 | ZVEI призовава към създаване на европейски технологичен алианс за бъдещето на автомобилната електроника
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите


Изследователи от Forschungszentrum Juelich и Института за иновативна микроелектроника Лайбниц (IHP) съобщиха, че са създали напълно нов материал – стабилна сплав от въглерод, силиций, германий и калай, означен като CSiGeSn, с потенциал за приложения в електрониката, фотониката и квантовите технологии.
Това, което прави новия материал специален, е, че всичките четири елемента като силиция са от група IV на периодичната таблица. Това гарантира съвместимостта със стандартния производствен метод, използван в електронната индустрия – CMOS процеса, което е решаващо преимущество.
"Комбинирайки тези четири елемента, постигнахме дългогодишна цел – върховния полупроводников материал от група IV ", обяснява д-р Дан Бука от Forschungszentrum Juelich.
Новата сплав позволява фина настройка на свойствата на материала до степен, която позволява създаването на компоненти, надхвърлящи възможностите на чистия силиций, като например оптични компоненти или квантови схеми. Тези структури могат да се интегрират директно в чип по време на производството. Химията поставя ясни ограничения – само елементи от същата група като силиция се вмъкват безпроблемно в кристалната решетка на пластината. Елементи от други групи нарушават чувствителната структура. Основният процес се нарича епитаксия – ключов процес в полупроводниковата технология, при който тънки слоеве се отлагат върху субстрат с прецизност на атомно ниво.
Екипът на Дан Бука заедно с различни изследователски групи вече имат успехи в комбинирането на силиций, германий и калай за създаването на транзистори, фотодетектори, лазери, светодиоди и термоелектрични материали. Добавянето на въглерод осигурява още по-голям контрол върху ширината на енергийната празнина – ключов фактор, който определя поведението на електроните и фотоните.
"Пример за това е лазер, който работи и при стайна температура. Много оптични приложения от силициевата група са все още в начален стадий на развитие", обяснява Дан Бука. "Съществуват и нови възможности за създаване на подходящи термоелектрични елементи за преобразуване на топлината в електрическа енергия в носими устройства и компютърни чипове."
Дълго време производството на подобен материал се смяташе за невъзможно. Въглеродните атоми са миниатюрни, докато атомите на калая са едри и възможностите им за свързване са много различни. Само чрез прецизни корекции в производствения процес е възможно комбинирането на тези противоположности, използвайки индустриална CVD система от Aixtron. Не са необходими никакви специални апарати, само оборудване, подобно на това, което вече стандартно се използва в производството на чипове. Резултатът е висококачествен материал с еднороден състав. Това води и до появата на първия излъчващ светлина диод, базиран на т. нар. квантови ями, направени от всичките четири елемента, което е важна стъпка към създаването на нови оптоелектронни компоненти.
"Материалът предлага уникална комбинация от оптични свойства, които могат да се настройват, и съвместимост със силиций", заявява проф. д-р Джовани Капелини от IHP, който вече повече от десет години работи с Дан Бука за проучване на приложния потенциал на новите полупроводникови компоненти от група IV. "Това поставя основите на мащабируеми фотонни, термоелектрични и квантови компоненти."
Източник: Forschungszentrum JuelichКлючови думи: Forschungszentrum Juelich IHP CSiGeSn микроелектроника фотоника квантови технологии
Област: Електроника
ЕК одобри 288 млн. евро държавна помощ за два микроелектронни проекта в Германия
Huawei предлага нов принцип за развитие на микроелектрониката
Пазарът на материали за микроелектрониката достигна рекордните 73,2 млрд. долара
Европейски университетски консорциум ще разработва чипове от ново поколение
Чиста стая с площ от 2000 кв. м откриха в Гренобъл в рамките на проекта FAMES
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
02.06.2026 | Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини
31.03.2026 | Европейски университетски консорциум ще разработва чипове от ново поколение
20.02.2026 | Изследователи от Университета на Единбург създадоха нов полупроводников материал

09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
02.06.2026 | Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
31.03.2026 | Китайска компания обяви пробив в производството на 14-инчови SiC пластини
31.03.2026 | Европейски университетски консорциум ще разработва чипове от ново поколение
20.02.2026 | Изследователи от Университета на Единбург създадоха нов полупроводников материал
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.